本文從擊穿機理、常見原因、實際案例和設(shè)計建議四方面，系統(tǒng)分析高效率整流管的反向擊穿問題。
一、反向擊穿的基本機理
整流管的工作核心是“單向?qū)?、反向截止”。當外部反向電壓超過其額定反向耐壓（VRRM）時，管芯PN結(jié)中的電場強度迅速增強，可能觸發(fā)以下幾種破壞性過程：
雪崩擊穿：高電場下電子獲得足夠能量撞擊硅原子，產(chǎn)生雪崩式載流子激增，形成不可控的大電流。
熱擊穿：過大的反向漏電流導致芯片溫升過快，反過來又加劇漏電流，形成正反饋失控。
表面擊穿或封裝失效：封裝設(shè)計不良或污染引發(fā)表面電弧擊穿。
反向擊穿一旦發(fā)生，會導致器件永久性損壞，其表現(xiàn)形式多為：器件短路、漏電流異常升高、封裝鼓包燒毀等。
二、反向擊穿的常見誘因
在實際應用中，整流管即使工作電壓遠低于額定耐壓，仍可能因以下原因發(fā)生擊穿：
1. 尖峰電壓未被抑制
高頻拓撲（如LLC、Boost、Flyback）中的漏感、PCB寄生參數(shù)可能疊加出反向尖峰，瞬間超過管子耐壓。例如變壓器一次側(cè)斷開后反向尖峰+DC偏置，疊加擊穿。
2. 電壓裕度不足
整流管選型時若VRRM僅略高于實際工作電壓（如僅10%），在環(huán)境溫度升高、系統(tǒng)噪聲存在時易被突破。
3. 熱設(shè)計不良
高頻電流和功率損耗未有效散熱，導致芯片溫度上升，VRRM實際承受能力降低，進而發(fā)生熱擊穿。
4. 浪涌/雷擊/ESD沖擊
輸入端未設(shè)計有效浪涌保護，外部電網(wǎng)干擾、電機回灌等都會帶來高壓沖擊。
5. PCB布局或測試問題
測試階段未考慮寄生電感走線、地線回路引發(fā)意外高壓；探頭接地不良也可能導致誤判。
三、真實應用案例分析
某客戶在65W PD充電器中使用一顆45V肖特基整流管（實際工作電壓35V），但產(chǎn)品在85℃高溫測試中頻繁燒毀。失效分析顯示器件漏電流異常，芯片有局部擊穿跡象。
經(jīng)分析發(fā)現(xiàn)，變壓器繞組耦合不良+PCB反向尖峰疊加，瞬間超過50V，超過器件耐壓。此外，整流管緊鄰開關(guān)MOS放置，散熱銅箔面積小，實際結(jié)溫遠高于預期。
最終通過以下手段解決：
將肖特基替換為60V超快恢復管；
增加RC Snubber吸收尖峰；
優(yōu)化PCB銅箔面積和通孔設(shè)計。
四、應用對策與設(shè)計建議
為了避免高效率整流管反向擊穿，F(xiàn)AE在設(shè)計初期應從以下幾個方面介入：
1. 選型預留足夠耐壓裕度
建議整流管VRRM為工作最大反向電壓的1.3~1.5倍，特別是輸入端或PFC后級。
2. 抑制反向尖峰電壓
采用RC Snubber或TVS管鉗位；
合理布線，減小寄生電感；
減少變壓器漏感。
3. 加強熱管理設(shè)計
優(yōu)化銅箔面積、熱過孔；
必要時采用DPAK、TO-220等大封裝；
熱仿真驗證結(jié)溫不超標。
4. 系統(tǒng)級浪涌保護
在輸入端加入MOV、TVS；
EMC設(shè)計時留意共模/差模噪聲耦合路徑。
5. 實測反向電壓波形
使用高帶寬差分探頭測量實際工作波形，驗證是否存在反向尖峰超壓情況。
MDD辰達半導體的高效率整流管的反向擊穿問題雖然常見，但其根本原因往往與系統(tǒng)設(shè)計、電磁干擾、熱管理等密切相關(guān)。FAE在支持客戶時，應不僅關(guān)注器件參數(shù)，還需理解客戶應用拓撲與系統(tǒng)行為，從而提供有效的預防措施與優(yōu)化建議。做到“選型有余量，設(shè)計有保障，驗證有數(shù)據(jù)”，才能真正保障整流管的長期可靠工作。
