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在現(xiàn)代電源系統(tǒng)中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的高效率整流管（如肖特基二極管、快恢復(fù)二極管、超快恢復(fù)二極管）因其低正向壓降、快速反向恢復(fù)特性，廣泛應(yīng)用于適配器、開(kāi)關(guān)電源、充電器、服務(wù)器電源和光伏逆變等高頻高效率場(chǎng)景。但在實(shí)際應(yīng)...

在電源系統(tǒng)、變頻器及高頻功率變換設(shè)備中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的超快恢復(fù)二極管憑借其反向恢復(fù)時(shí)間短、開(kāi)關(guān)損耗低的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于高頻整流和續(xù)流電路。但在某些大功率應(yīng)用中，為了滿足更高的電壓或電流需求，工程師往往采用器...

在高頻、高效電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，辰達(dá)半導(dǎo)體超快恢復(fù)二極管憑借其極短的反向恢復(fù)時(shí)間（Trr）和低反向電流損耗，成為開(kāi)關(guān)電源、逆變器、功率因數(shù)校正（PFC）等場(chǎng)合中的重要器件。然而，工程實(shí)踐中常見(jiàn)因選型不當(dāng)而造成的系統(tǒng)效率下降甚...

MDD辰達(dá)半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管在高頻整流、PFC、逆變續(xù)流路徑中承擔(dān)快速電荷抽空任務(wù)，其功耗除正向?qū)〒p耗外，還包含反向恢復(fù)能量；熱設(shè)計(jì)稍有不足，即可能觸發(fā)漸進(jìn)式熱退化甚至災(zāi)難性擊穿。本文從失效癥狀入手，解析熱源構(gòu)成...

在高頻電路中，二極管不僅需要具備快速導(dǎo)通和關(guān)斷特性，還必須在高頻開(kāi)關(guān)過(guò)程中盡量減少能量損耗和電磁干擾。普通整流二極管由于反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，難以滿足高頻應(yīng)用需求，而快恢復(fù)二極管憑借其短反向恢復(fù)時(shí)間和較低的...

一、整流二極管的核心參數(shù)解析：選型失敗的三大雷區(qū) 1. 電流與散熱失衡 最大整流電流（IF）：標(biāo)稱值需滿足 IF ≥ 1.5 × I_load（負(fù)載電流），且需疊加散熱系數(shù)： 自然散熱（無(wú)風(fēng)冷）：實(shí)際承載電...

一、熱管理失效：散熱設(shè)計(jì)不足引發(fā)連鎖故障 問(wèn)題表現(xiàn)： 局部過(guò)熱：整流二極管（如1N5408）未配置散熱孔或銅箔面積不足，導(dǎo)致結(jié)溫＞85℃（安全閾值），實(shí)測(cè)溫升可達(dá)30℃以上 。 熱應(yīng)力開(kāi)裂：FR...

在功率電子系統(tǒng)中，辰達(dá)的MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性...

一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用 開(kāi)關(guān)功能 DC-DC變換器的核心工作原理是通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件，在此過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用。MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率決定了變...