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MDD 半導(dǎo)體器件在實(shí)際應(yīng)用中會(huì)因功率損耗、環(huán)境溫度等因素產(chǎn)生熱量，過(guò)高的溫度可能導(dǎo)致器件性能下降甚至損壞。因此，熱測(cè)試成為半導(dǎo)體元件性能驗(yàn)證和可靠性評(píng)估的重要環(huán)節(jié)。然而，半導(dǎo)體熱測(cè)試中往往會(huì)遇到一系列...

MDD靜電放電（Electrostatic Discharge，簡(jiǎn)稱ESD）是電子設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中常見(jiàn)的干擾源之一。ESD不僅可能導(dǎo)致電子元器件的損壞，還可能影響電路的正常工作，甚至導(dǎo)致系統(tǒng)崩潰。為了有效保護(hù)電路免受靜電放電的影響，ESD保...

在半導(dǎo)體電子電路中，MDDTVS（二極管瞬態(tài)抑制二極管）和穩(wěn)壓二極管（又稱齊納二極管）都是常用的保護(hù)元件，它們各自的作用和應(yīng)用場(chǎng)景有所不同。盡管這兩種二極管在某些方面有相似之處，但它們的工作原理、特點(diǎn)和應(yīng)用領(lǐng)域有...

在電力電子領(lǐng)域，橋堆（Bridge Rectifier）封裝被廣泛應(yīng)用于交流電源的整流電路中。橋堆通常由四個(gè)二極管組成，采用不同的封裝形式以滿足不同功率需求。橋堆封裝的兼容性問(wèn)題，對(duì)于電路設(shè)計(jì)、安裝、維護(hù)和優(yōu)化具有重要影響...

MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子電路中，尤其在開(kāi)關(guān)電源、功率放大和數(shù)字邏輯電路中占據(jù)重要地位。MOS管的柵極（Gate）和源極（Source）間的GS極是控制器件開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵，但也最容易因各種因素失效。辰達(dá)半導(dǎo)體將...

穩(wěn)壓二極管是一種關(guān)鍵的電子元件，通過(guò)其穩(wěn)定的反向擊穿特性，在電路中實(shí)現(xiàn)電壓的精確調(diào)節(jié)和穩(wěn)壓功能。在設(shè)計(jì)和使用穩(wěn)壓二極管時(shí)，操作溫度和存儲(chǔ)溫度是兩個(gè)重要的環(huán)境參數(shù)，它們對(duì)器件的性能和可靠性有直接影響。MDD對(duì)...

MDD的高效率二極管在電力電子和開(kāi)關(guān)電源中扮演著關(guān)鍵角色，它們通過(guò)提供快速的開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通壓降，顯著提升電源系統(tǒng)的效率。在相同負(fù)載條件下，不同二極管反向恢復(fù)時(shí)間的表現(xiàn)可能會(huì)有所不同，影響開(kāi)關(guān)頻率、系統(tǒng)效率...

MDD肖特基二極管和電源變壓器是電力電子系統(tǒng)中兩個(gè)重要的元件，它們雖然在功能和工作原理上有所不同，但在一些應(yīng)用中具有緊密的關(guān)聯(lián)。我們來(lái)探討肖特基二極管與電源變壓器之間的關(guān)系，特別是在電源轉(zhuǎn)換、效率提升和電磁...

隨著新材料和新技術(shù)的不斷發(fā)展，金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）和柔性石墨烯MOS（Graphene MOS）作為兩種重要的半導(dǎo)體材料，在電子設(shè)備和器件的應(yīng)用中越來(lái)越受到關(guān)注。盡管它們都可以用作金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）...